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日前举行的2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，英诺赛科产品应用总监邹艳波表示，过去三年，氮化镓的性能获得大幅提升。随着技术的迭代和规模效应发挥，成本已与跟硅器件接近。特别是形成系统方案之后，整体的成本已经可以为客户带来收益。

多家国内外功率半导体巨头正在积极投资氮化镓领域: 英飞凌斥资8.3亿美元收购氮化镓系统公司，安世半导体推出了三代650V氮化镓场效应晶体管，珠海未来已经着手将氮化镓引入到户外电源的双向逆变器据业内预测，从2021年到2027年，全球氮化镓功率器件市场的复合年增长率预计将达到30%，增长的推动力主要源自电力电子设备的小型化和高效率化需求。

氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料之一，禁带宽度达到3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。

A股上市公司包括：安克创新（300866）、中瓷电子（003031）、安旭电子等。

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